著書・研究論文・学会発表等

著書

学会誌、論文誌

  1. 前多信弘,蜷川清隆,米田知晃,”GMサーベイメータを使ったμ粒子測定の試み”,Isotope News, No.782 (2022) 56-57
  2. E. Takada, S. Saito, F. Sakamoto, S. Suzuki, Y. Shibata, T. Yoneda, A. Minoda, H. Tenzo, N. Iwata, I. Nakamura, K. Yajima, K. T. Nakahira, "Development and improvement of human resource development in nuclear engineering for national college students in Japan", Procedia Computer Science, 159 (2019) 2580-2588 
  3. T. Yoneda, J. Horikawa, S. Saijo, M. Arakawa, Y. Yamamoto, Y. Yamamoto, "Stopping power for 4.8–6.8 MeV C ions along [1 1 0] and [1 1 1] directions in Si", Nucl. Instr. Meth. B, 425 (2018), p.1
  4. S.Tawara, Y. Yamamoto, M. Arakawa, S. Saijo, J. Horikawa, T.Yoneda, "Universal Expression of Projected Range Distributions for Spherical and Cylindrical Shape Target by Computer Simulation", J. Vac. Soc. Jpn., 60 (2017) 463-466
  5. 河原林, 米田, 山本, 丸山, 石栗,"電子ブロックを用いた体験型学習の取り組み",高専教育, 35 (2012) p79-84
  6. T. Yoneda, M. Shibuya, K. Mitsuhara, A. Visikovskiy, Y. Hoshino, Y. Kido, "Graphene on SiC(0001) and SiC(000-1) surfaces grown via Ni-silicidation reactions", Surface Science, 604 (2010) 1509-1515
  7. 原田,河上,米田,”電磁波シールド効果を持つ低座標歪み抵抗膜方式タッチパネルセンサの素子構造”,電機学会論文誌E,130 (2010) 31
  8. T. Yoneda, "Depth distribution of phosphorus implanted intno SiO2 analyzed by the Monte Carlo Simulation of Extended TRIM", J. Vac. Soc. Jpn, 52 (2009) p124-126
  9. 米田,荒川,丸山,三好,斎藤,"PIC マイコンで動作するライントレースマシン製作による「ものづくり」教育",高専教育,31 (2008) p319-324
  10. 岡田、村中、北川、吉崎、米田、"機械・電気・情報分野を融合したPBL教育の実践とその効果"、福井工業高等専門学校研究紀要、41 (2007) p9-15
  11. 井上,藤田,米田,下条,小泉,吉村,奥村,吉田,"ものづくり教育の補完と専攻科生への導入教育",高専教育,29 (2006) p379-384
  12. 米田,荒川,丸山,三好,斉藤,"簡単な電子回路で動作するライントレースマシン製作による「ものづくり」教育",福井工業高等専門学校研究紀要,39 (2005) p17-21
  13. Y. Hoshino, T. Nishimura, T. Yoneda, K. Ogawa, H. Namba, Y. Kido, "Initial oxidation of 6H-SiC(0001)- surface studied by ion scattering combined with photoemission induced by synchrotron-radiation- light", Surface Science, Vol. 505 (2002) pp. 234-242
  14. T. Hatayama, T. Yoneda, T. Nakata, M. Watanabe, T. Kimoto, H. Matsunami, "Vanadium Ion Implanted Guard Rings for High-Voltage 4H-SiC Schottky Rectifiers ", Jpn. J. Appl. Phys. Vol.39 (2000) L1216-L1218
  15. K. Hanamoto, M. Sasaki, T. Yoneda, K. Miyatani, H. Miki, C. Kaito, Y. Nakayama, "Electrical and optical properties of carbon implanted In2O3 thin film", Nucl. Instrum. Methods B, 168 (2000) 389-94
  16. T. Yoneda, T. Nakata, M. Watanabe, M. Kitabatake, "Characterization of an enhanced thermal oxide layer on 6H-SiC using ion irradiation", Mater. Science and Engineering B61-62 p502-504 (1999)
  17. Y. Yamamoto, A. Ikeda, T. Yoneda, K. Kajiyama, Y. Kido, "Impact-parameter dependent stopping power for MeV He ions in Si Crystals", Nucl. Instrum. Methods B, 153 (1999) 10-14
  18. K. Kajiyama, T. Yoneda, K. Sekine, T. Shibauch, M. Yamamoto, "Ion implantation into silica fibers and metal wires", Proc. of XIIth Int. Conf. Ion Implantation Technology, Vol.2 (1999) 982-985
  19. T. Yoneda, T, Nakata, M. Kitabatake, Y. Kido, "Dose Dependence of the Enhancement of Thermal Oxidation for 6H-SiC by 30 keV 18O+ and 20Ne+ Irradiation", Jpn. J. Appl. Phys., Vol.37 (1998) 6262-6265
  20. T. Hara, Y. Kakizaki, T. Tanaka, M. Inoue, K. Kajiyama, T. Yoneda, K. Sekine, K. Masao, "Delamination of Thin Layer in H+ Implanted Silicon Carbide", Proc. of 7th Int. Conf. Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials (Trans Tech Publications, Switzerland, 1998). p771-774
  21. T. Yoneda, K. Kajiyama, F. Tohjou, Y. Yoshioka, A. Ikeda, Y. Kisaka, T. Nishimura, Y. Kido, "Kinetics and Depth Distributions of Oxygen Implanted into Si Analyzed by the Monte Carlo Simulation of Extended TRIM", Jpn. J. Appl. Phys., Vol.36 (1997) 7323-7328
  22. K. Kajiyama, T. Yoneda, Y. Fujioka, Y. Kido, "Si-O bond formation by oxygen implantation into silicon", Nucl. Instrum. Methods B, 121(1997)315-318
  23. T. Hara, Y. Kakizaki, T. Kihara, S. Oshima, T. Kitamura, K. Kajiyama, T. Yoneda, K. Sekine, M. Inoue, "Ion Implantation and annealing conditions for delamination of Si layer by hydrogen ion implantation", J. Electrochem. Soc., 144(1997)L78-81
  24. T. Hara, Y. Kakizaki, T. Tanaka, M. Inoue, K. Kajiyama, T. Yoneda, K. Sekine, K. Masao, "Measurement of the Delamination of Thin Silicon and Silicon Carbide Layers by the Multi-Wavelength Laser Ellipsometer", Jpn. J. Appl. Phys., 36(1997)L1142-1145
  25. M. Ishimaru, S. Harada, T. Motooka, T. Nakata, T. Yoneda, M. Inoue, "Amorphization and solid phase epitaxy of high-energy ion imptated 6H-SiC", Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 127/128(1997)195-197
  26. T. Hara, T. Onada, Y. Kakizaki, S. Oshima, T. Kitamura, K. Kajiyama, T. Yoneda, K. Sekine, M. Inoue, "Delimination of Thin Layers by High Dosse Hydrogen Ion Impalnteation in Silicon", J. Electrochem. Soc., 143(1996)L166-168
  27. S. Harada, M. Ishimaru, T. Motooka, T. Nakata, T. Yoneda, M. Inoue, "Recrystallization of MeV Si imptated 6H-SiC", Appl. Phys. Lett., 69(1996)3534-3536
  28. T. Hara, Y. Kakizaki, S. Oshima, T. Kihara, T. Kitamura, K. Kajiyama, T. Yoneda, M. Inoue, "H+ Implantation in Si for Void Cut SOI Manufacturing", Proceedings of 11th International Conference on Ion Implantation Technology, Austin, TX, Volume 1, Issue 1, June 16-21, 1996, P45-48

学会発表(平成21年度以降)

  1. 鈴木茂和、箕田充志、米田知晃、小林洋平、高田英治、竹澤宏樹、"[3C09] 国際原子力人材育成イニシアティブ事業の実施状況 ①全体概要,教材開発,海外研修"、第71回工学教育研究講演会・年次大会、2023.9.8
  2. 箕田充志、岩田憲幸、米田知晃、鈴木茂和、高田英治、"[3C11] 国際原子力人材育成イニシアティブ事業の実施状況 ③2022年度演習プログラム"、第71回工学教育研究講演会・年次大会、2023.9.8
  3. 中村格,高田英治,箕田充志,小林洋平,米田知晃,鈴木茂和,"機関連携強化による未来社会に向けた新たな原子力教育拠点の構築に資する電力会社等実習",令和5年 電気学会 基礎・材料・共通部門,2023.9.7
  4. 福嶋宏之、加藤匠、中内大介、河口範明、米田知晃、柳田健之、“Eu添加SrY2O4の放射線誘起蛍光特性評価”、応用物理学会 極限的励起状態の形成と量子エネルギー変換研究グループ 第11回研究会、2023.6.16
  5. 坪内廉、福嶋宏之、加藤匠、中内大介、河口範明、米田知晃、柳田健之、”Eu添加Al2O3単結晶のX線照射による発光特性”、 応用物理学会 極限的励起状態の形成と量子エネルギー変換研究グループ 第11回研究会、2023.6.1
  6. 坪内廉,米田知晃,福嶋宏之,加藤匠,中内大介,河口範明,柳田健之,"ZnO 透光性セラミックスの熱処理による光学特性とシンチレーション特性",第41回法政大学 イオンビーム工学研究所シンポジウム,2022
  7. 米田知晃,荒川正和,丸山晃生,西城理志,堀川隼世,揚原邦弘,佐々木一,梅田雄太,"液晶ラビング布の毛並方向評価に関する研究",2020年度電気・情報関係学会北陸支部連合大会,2020
  8. 米田知晃,荒川正和,丸山晃生,松浦徹,西城理志,堀川隼世,"放射線計測をテーマとしたものづくり教育",令和元年度全国高専フォーラム,2019
  9. 米田知晃,荒川正和,丸山晃生,松浦徹,西城理志,堀川隼世,中村孝史,久保杏奈,"福井高専電気電子工学科におけるエネルギー教育",日本エネルギー環境教育学会 第13回全国大会概要集 2018年8月
  10. 福嶋宏之,米田知晃,西村智朗,"ミストCVD法による 6H-SiC(0001)基板上への酸化ガリウム薄膜成長",第36回法政大学 イオンビーム工学研究所シンポジウム,2017
  11. 米田知晃,田原憧太郎,山本幸男,荒川正和,西城理志,堀川隼世,"コンピュータシミュレーションによる粉体および線材へのイオン注入分布の一般化式",真空に関する連合講演会,2017
  12. 米田知晃,松浦徹,堀川隼世,松浦晃祐,"研究室における原子力・放射線基礎教育の実践",平成29年度全国高専フォーラム,2017
  13. S.Tawara, T.Yoneda, "Characterization of ion-implanted into silica powders, silica fiber and metal wire analyzed by the Monte Carlo simulation of extended TRIM", EM-NANO 2015, Niigaata, June, 16-19, P2-52, 2015
  14. 米田知晃,山本幸男,佐藤匡,荒川正和,西城理志,"福井高専電気電子工学科における原子力・放射線教育",平成26年度全国高専フォーラム,2014
  15. 米田知晃亀山建太郎北川浩和内藤岳史,"学科対抗による意欲向上を狙ったロボットサッカー組み込みプログラミング演習"平成25年度全国高専フォーラム2013
  16. T. Yoneda, Y. Yamamoto, "Stopping Power for 5.2-6.8 MeV C ions into Si [110] direction", 25th International Conference on Atomic Collisions in Solids, Kyoto, October 21-25, 2012
  17. T. Yoneda, Y. Yamamoto, T. Sato, M. Arakawa, T. Kawarabayashi, "Creative Manufacturing Education for freshman by making Electroniccircuits", Proceedings of The International Symposium on Advances in Technology Education (ISATE) 2012, Kita-Kyushu, 2012, p-080
  18. 米田知晃山本安一”チャネリング効果を用いたSi(001)への高エネルギーBイオン注入”第52回真空に関する連合講演会 第52回真空に関する連合講演会2011
  19. 米田知晃,渋谷誠,光原圭,Anton Visikovskiy星野靖,城戸義明,"SiC{0001}表面上のNiシリサイド反応によるグラフェン層の形成",第71回応用物理学会学術講演会,2010
  20. 米田知晃、”モンテカルロシミュレーションによるSiO2への高濃度P+イオン注入の構造解析”、 第49回真空に関する連合講演会、2008
  21. 米田知晃、安立勲央、"加速度センサを用いたバスケットボールにおけるワンハンドシュートの分析"、 日本バイオメカにクス学会講演会、2008年

学会発表(平成20年度以前)

  1. 米田知晃、”イオン工学における教育支援型シミュレーション教材の開発”、情報処理教育研究発表会論文集、第23号(2003)p33
  2. 堀江祐介、山本安一、渡辺正則、関根幸平、米田知晃、”チャネリング効果を用いたSi(001)への高エネルギーBイオン注入”、第62回応用物理学会学術講演会、2001
  3. 菱田有二、米田知晃、渡辺正則、江龍 修、中嶋堅志郎、”イオン注入SiCのパルスレーザーアニール”、第46回応用物理学関係連合講演会 (1999)
  4. 渡辺正則、菱田有二、米田知晃、中田俊武、”重要地域技術研究開発「エネルギー使用合理化燃焼等制御システム技術開発」の開発状況”、SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第7回講演会(1998)
  5. 米田知晃、渡辺正則、菱田有二、北畠真、”イオン照射による6H-SiC(0001)Siの増速熱酸化膜の電気的特性”、SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第7回講演会(1998)
  6. 米田知晃、渡辺正則、北畠 真、”イオン照射による6H-SiCの増速熱酸化膜のアニールによる電気的特性の改善”、第59回応用物理学会学術講演会(1998)
  7. 畑山智亮、米田知晃、中田俊武、渡辺正則、木本恒暢、松波弘之、”バナジウムイオン注入ガードリングによる4H-SiCショットキーダイオードの逆方向特性の改善”、第45回応用物理学関係連合講演会(1998)
  8. T.Hara, Y.Kakizaki、K.Kajiyama, T.Yoneda, K.Sekine, M.Inoue、”Delamination of Thin Layer in H+ Implanted SiC”、ハードエレクトロニクス’98 国際ワークショップ (1998)
  9. 米田知晃、中田俊武、畑山智亮、渡辺正則、井上森雄、北畠 真、出口正洋、内田正雄、”イオン照射による6H-SiC(0001)Siの増速熱酸化膜の電気特性”、SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会 第6回講演会(1997)
  10. 梶山健二、米田知晃、山本真弘、原 徹、”水素切断による3C-SiC薄膜の形成:高温エピ成長用の基板作成”、SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会 第6回講演会(1997)
  11. 米田知晃、畑山智亮、中田俊武、渡辺正則、井上森雄、”Sc注入したSiCアニール効果”、第58回応用物理学会学術講演会(1997)
  12. 木坂由明、池田 敦、城戸義明、米田知晃、梶山健二、”Siへの高濃度酸素イオン注入過程のモンテカルロシミュレーション分析”、第58回応用物理学会学術講演会(1997)
  13. 梶山健二、米田知晃、”水素切断法を用いた太陽電池用の単結晶Si薄膜の作成”、第58回応用物理学会学術講演会(1997)
  14. 山本安一,池田敦,梶山健二,米田知晃,城戸義明、”単結晶Si中を軸及び面チャネリングするMeV Heイオンに対する阻止能”、日本物理学会学術講演会(1997)
  15. 梶山健二、米田知晃、”水素イオン注入を用いた省資源太陽電池用の光閉込め単結晶シリコン薄膜の製作”、電気学会半導体電力変換技術委員会 「第6回高効率太陽電池および太陽光発電システム」 ワークショップ 立命館大学 琵琶湖草津キャンパス (1997)
  16. 米田知晃、中田俊武、梶山健二、渡辺正則、井上森雄、北畠 真、出口正洋、内田正雄、”イオン照射による6H-SiC(0001)Siの増速熱酸化膜”、日本真空協会関西支部 平成9年度第2回研究例会(1997)
  17. 原 徹、柿崎恵男、大島創太郎、梶山健二、米田知晃、関根幸平、井上森雄、”水素イオン注入によるSiおよびSiC薄膜のデラミネーション”電気化学会 「第52回半導体集積回路技術シンポジウム」 (1997)
  18. 米田知晃、中田俊武、梶山健二、渡辺正則、井上森雄、北畠 眞、出口正洋、内田正雄、”イオン照射による6H-SiC(0001)Siの増速熱酸化膜の電気的特性”、第44回応用物理学関係連合講演会(1997)
  19. 米田知晃、中田俊武、梶山健二、渡辺正則、井上森雄、北畠 真、出口正洋、内田正雄、”イオン注入による6H-SiCの熱酸化膜形成”、第7回高温エレクトロニクス研究会(1997)
  20. 米田知晃、中田俊武、梶山健二、渡辺正則、井上森雄、”Thermal annealing effect of Sc implanted 4H-SiC layer”、ハードエレクトロニスス国際ワークショップ(1997)
  21. 米田知晃、中田俊武、梶山健二、渡辺正則、井上森雄、北畠 真、出口正洋、内田正雄、”イオン注入を用いたSiCの熱酸化膜形成”、SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会 第5回講演会(1996)
  22. 米田知晃、中田俊武、梶山健二、渡辺正則、井上森雄、北畠 真、出口正洋、内田正雄、”イオン注入を用いたSiCの熱酸化膜形成”、第57回応用物理学会学術講演会(1996)
  23. 梶山健二、米田知晃、井上森雄、原 徹、”注入水素を用いた脆化によるシリコン単結晶の簿膜形成”、電子情報通信学会 信学技報 シリコン材料デバイス研究会(1996)
  24. 米田知晃、梶山健二、城戸義明、池田 敦、木阪由明、”シリコンへの高濃度イオン注入による埋め込み酸化膜の構造解析”、第43回応用物理学会関係連合講演会(1996)
  25. 藤岡裕一、梶山健二、米田知晃、 ”シリコンへ注入した酸素の赤外吸収特性 (SIMOX)”、第43回応用物理学会関係連合講演会(1996) 
  26. 米田知晃、飴山 恵、城戸義明、中田譲二、種村真幸、”低エネルギー希ガス照射によって誘起される表面アモルファス層厚”、第54回応用物理学会学術講演会(1993)

その他

  1. 田原憧太郎,米田知晃,"コンピュータシミュレーションによる粉体及び線材へのイオン注入分布の一般則の決定",平成28年度 学生による研究発表会,2017
  2. 宮越雄太,米田知晃,"真空蒸着法によるSi基板上への鉄シリサイド膜成長",平成28年度 学生による研究発表会,2017
  3. 福嶋宏之,米田知晃,"ミストCVDによる酸化ガリウム薄膜の成長",平成28年度 学生による研究発表会,2017
  4. 牧田幸大,新谷俊樹,米田知晃,"CsI(Tl)シンチレータとMPPCを用いた放射線検出回路の製作",平成28年度 学生による研究発表会,2017
  5. 三上 雅也,古村晃洋,井関奏士,米田知晃,"ガイガーミュラー(GM)管を用いた簡易放射線検出器の作製",平成28年度 学生による研究発表会,2017
  6. 川端夢人,水野弘基,"フロートとリニアエンコーダを用いた水位計測システム",平成24年度 北陸地区 学生による研究発表会、2013
  7. 安立勲央、米田知晃、”加速度センサとビデオカメラを用いた運動動作計測システムに関する研究”、平成19年度 北陸地区 学生による研究発表会、2008
  8. 林宗和、眞田卓、米田知晃、”光センサ、超音波距離センサおよび画像計測による位置検出”、平成19年度 北陸地区 学生による研究発表会、2008
  9. 牧田克紀、五十嵐直人、米田知晃、”PICマイコンを用いた加速度計測システムの開発”、平成19年度 北陸地区 学生による研究発表会、2008
  10. 米田知晃、"バスケットボールにおける情報処理技術の利用 -フォーメイション表示ソフトウエアの利用-"、 福井工業高等専門学校 総合情報処理センター 広報、Vol.48、2005
  11. 米田知晃、"GrWinを用いたグラフィックス・プログラミング"、福井工業高等専門学校 総合情報処理センター 広報、Vol.47、2004
  12. 高木恭輔、米田知晃、"LinuxでUSBカメラを使ってみよう"、福井工業高等専門学校 総合情報処理センター 広報、Vol.47、2004
  13. 米田知晃、"ライントレースマシン製作によるもの作り教育の実践"、平成15年度 鯖江市民ギャラリー出展、2003
  14. 米田知晃、"Java アプレットを用いた原子衝突シミュレーション"、福井工業高等専門学校 総合情報処理センター 広報、Vol.46、2003
  15. 兼田知明、米田知晃、”変復調における学習支援型シミュレーション”、平成14年度 北陸地区 学生による研究発表会、2003
  16. 廣田有紀、米田知晃、”Javaアプレットによる交流回路シミュレーション教材”、平成14年度 北陸地区 学生による研究発表会、2003
  17. 米田知晃、"AVG 6.0 Free Edition(無償のアンチウイルス)の紹介"、福井工業高等専門学校 総合情報処理センター 広報、Vol.45、2002
  18. 石田圭司郎、佐藤剛志、堀江祐介、米田知晃、”イオン散乱分光法のシミュレーション開発”、平成12年度 北陸地区 学生による研究発表会、2001
  19. 佐藤剛志、石田圭司郎、堀江祐介、米田知晃、”電気特性評価システムの構築とn形SiCショットキーダイオードの電気特性評価”、平成12年度 北陸地区 学生による研究発表会、2001
  20. 梶山健二、米田知晃、関根幸平、”高濃度イオン注入によるシリコン集積回路用に理想的なSIMOXウエハ”、イオン工学ニュース No.34 (1998.7) 8-11